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等離子刻蝕方式分類

等離子刻蝕分類根據(jù)方式不同有不同的分類內容。按照實現(xiàn)產生等離子體的設備類型可以分為容性耦合等離子刻蝕（Conductively Coupled Plasma,CCP）、感性耦合等離子刻蝕（Inductively Coupled Plasma,ICP）以及微波電子回旋共振等離子體刻蝕（microwave ElectronCyclotron Resonanceplasma,ECR)；按照等離子體工作的氣壓狀態(tài)可以分為低壓等離子刻蝕和大氣壓等離子刻蝕。

（1）容性耦合等離子刻蝕（CCP)
刻蝕設備等離子體產生結構主要由上下兩塊金屬極板構成，上電極接射頻偏壓，下電極接地，與電容結構類似，如圖1.1所示。通過射頻偏壓的作用在兩電極之間產生電場，電子獲取能量與氣體分子碰撞產生等離子體，實現(xiàn)對材料表面的刻蝕。由于設備結構的限制，該類型產生的等離子體密度較小，但均勻性好，并且設備成本低，廣泛應用于材料表面處理。

圖1.1容性耦合等離子體源

（2）感性耦合等離子體刻蝕（ICP）
刻蝕設備等離子體產生結構主要由電感線圈構成，線圈接射頻電源，如圖1.2所示。由于電流的反復變化，在腔室中會產生交變磁場，進而產生交變電場。處于電場中的電子會加速與氣體分子碰撞然后電離產生等離子體，實現(xiàn)對材料表面的刻蝕。該類型產生的等離子體密度與能量較高，具有較好的各向異性、可單獨控制偏壓等優(yōu)點，但設備成本較高，應用多集中于集成電路刻蝕工藝中。

圖1.2 感性耦合等離子體源

（3）微波電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）
刻蝕設備構造非常復雜，該型等離子體源于上世紀八十年代由Dr.H.Pistma等人發(fā)現(xiàn)，被應用很多重要技術領域，如芯片刻蝕領域。其主要通過外部微波的作用，使氣體分子的電子與微波達到共振狀態(tài)，使得電子獲得源源不斷的能量，加大碰撞次數(shù)，產生高密度等離子體。該類型產生的等離子體密度最高，能量轉化率也很高，同時可通過調控磁場間接去控制產生的等離子體的離子密度和能量，但是設備構造非常復雜，成本非常高，因而在工程應用中并不多見。

（4）大氣壓等離子刻蝕
大氣壓等離子刻蝕指產生刻蝕等離子體的空間并非密閉，等離子體處于大氣壓狀態(tài)下。該類型產生等離子的環(huán)境開放，這也導致了其刻蝕過程中涉及到的各種反應十分復雜?？涛g設備制造和成本很低，同時等離子體源可移動性高，操作簡便，工程應用較廣，但是對于非常復雜、帶有內凹型孔穴的表面難以處理。

（5）低氣壓等離子刻蝕
低氣壓等離子刻蝕指產生刻蝕等離子體的空間密閉，等離子體處于低氣壓狀態(tài)下。該類型等離子與大氣壓等離子相比，具有成分可控、能量可調節(jié)等一系列特點，同時對材料表面改性的作用效果較好，設備使用簡單，因此在實驗室等科研機構應用廣泛。